IPB147N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB147N03LG
Código: 147N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0147 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
- Selección de transistores por parámetros
IPB147N03LG Datasheet (PDF)
ipp147n03l-g ipb147n03l-g.pdf

Type IPP147N03L GIPB147N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 14.7mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 20 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(
ipb144n12n3g ipi147n12n3g ipp147n12n3g ipp147n12n3 ipi147n12n3 ipb144n12n3.pdf

IPB144N12N3 GIPI147N12N3 G IPP147N12N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D R ( 492??6= ?@C>2= =6G6=R 14 7 m - @? >2I R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' D n)I DR /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 RD n)R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @#- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R $562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH
ipb140n08s4-04.pdf

IPB140N08S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 80 VDSR 4.2mWDS(on),maxI 140 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB140N08S4-04 PG-TO263-7-3 4N0804Maximum ratin
ipb14n03la ipi14n03la ipp14n03la.pdf

IPB14N03LAIPI14N03LA, IPP14N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 13.6mDS(on),max N-channelI 30 AD Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO220-3-1 Superior thermal resistance
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35 | DH100P30CI
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