IPB60R600CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPB60R600CP
   Código: 6R600P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB60R600CP

IPB60R600CP Datasheet (PDF)

..1. Size:273K infineon
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IPB60R600CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ Tj,max 650 VDS Lowest figure-of-merit RON x QgR @ Tj =25C 0.6DS(on),max Ultra low gate chargeQ 21 nCg,typ Extreme dv/dt rated High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TO263 Pb-free lead plating; RoHS compliantCoolMOS CP is desi

..2. Size:257K inchange semiconductor
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Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB60R600CPFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

4.1. Size:1224K infineon
ipd60r600c6 ipb60r600c6 ipp60r600c6 ipa60r600c6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R600C6Data SheetRev. 2.5FinalPower Management & Multimarket600V CIMOS C6 Pwer Transistr IPD60R600C6, IPB60R600C6IPP60R600C6, IPA60R600C61 DescriptinCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the super

4.2. Size:1051K infineon
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MOSFET+ =L9D - PA

4.3. Size:257K inchange semiconductor
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Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB60R600C6FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: