IPD100N04S4-02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPD100N04S4-02
   Código: 4N0402
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 91 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD100N04S4-02

IPD100N04S4-02 Datasheet (PDF)

..1. Size:154K infineon
ipd100n04s4-02.pdf

IPD100N04S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 2.0mDS(on),maxI 100 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD100N04S4-02 PG-TO252-3-313 4N0402Maximum ratin

..2. Size:291K inchange semiconductor
ipd100n04s4-02.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD100N04S4-02FEATURESDrain Current I = 100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R : 4m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAX

3.1. Size:232K infineon
ipd100n04s4l-02.pdf

IPD100N04S4L-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.9mWID 100 AFeatures OptiMOSTM - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-313 N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp

6.1. Size:163K infineon
ipd100n06s4-03.pdf

IPD100N06S4-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.5mDS(on),maxI 100 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra Low RDSon Ultra High IDType Package MarkingIPD100N

9.1. Size:1239K 1
ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf

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ipd105n04l.pdf

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Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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