IPD50N10S3L-16 Todos los transistores

 

IPD50N10S3L-16 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD50N10S3L-16
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD50N10S3L-16 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  infineon
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IPD50N10S3L-16

IPD50N10S3L-16OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max 15mWID 50 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N10S3L-16 PG-TO252-3-11 QN10L16Maximum

 ..2. Size:177K  infineon
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IPD50N10S3L-16

IPD50N10S3L-16OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 15mWDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N10S3L-16 PG-TO252-3-11 QN10L16Ma

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IPD50N10S3L-16

IPD50N12S3L-15OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 15 mW ID 50 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp

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IPD50N10S3L-16

IPD50N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 12.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Mark

Otros transistores... IPD50N04S3-08 , IPD50N04S3-09 , IPD50N06S2-14 , IPD50N06S2L-13 , IPF105N03LG , IPD50N06S4-09 , IPD50N06S4L-08 , IPD50N06S4L-12 , AO4407 , IPD50P03P4L-11 , IPD70N03S4L-04 , IPD70N04S3-07 , IPD70N10S3-12 , IPD70N10S3L-12 , IPD80N04S3-06 , IPD80P03P4L-07 , IPD90N03S4L-02 .

History: SPN05T10 | SE40120A | HMS15N65I | 65N06A | P2206BV | 2SK2080-01R | FDD2512

 

 
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