IPD90N06S4L-05 Todos los transistores

 

IPD90N06S4L-05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD90N06S4L-05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de IPD90N06S4L-05 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPD90N06S4L-05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  infineon
ipd90n06s4l-05 ipd90n06s4l-05 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4L-05

IPD90N06S4L-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 4.6mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSonType Package MarkingIPD90N06S4L-05 PG-TO252-3-1

 1.1. Size:163K  infineon
ipd90n06s4l-03 ipd90n06s4l-03 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4L-05

IPD90N06S4L-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.5mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSonType Package MarkingIPD90N06S4L-03 P

 1.2. Size:163K  infineon
ipd90n06s4l-06 ipd90n06s4l-06 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4L-05

IPD90N06S4L-06OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 6.3mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSonType Package MarkingIPD90N06S4L-06 P

 4.1. Size:163K  infineon
ipd90n06s4-04 ipd90n06s4-04 ds 12.pdf pdf_icon

IPD90N06S4L-05

IPD90N06S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.8mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N06S4-04 PG-TO252-3-11 4N0604Maximum ratings, a

Otros transistores... IPD90N04S3-04 , IPD90N04S3-H4 , IPD90N04S4-04 , IPD90N04S4L-04 , IPD90N06S4-04 , IPD90N06S4-05 , IPD90N06S4-07 , IPD90N06S4L-03 , 75N75 , IPD90N06S4L-06 , IPD90P03P4-04 , IPD90P03P4L-04 , IPD031N03LG , IPD031N06L3G , IPD034N06N3G , IPD035N06L3G , IPD036N04LG .

History: SM4132T9RL | CEU02N65A | FQPF32N12V2 | CJQ4459 | IPB60R045P7 | SM4303PSK | AON7462

 

 
Back to Top

 


 
.