IPD105N03LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD105N03LG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Encapsulados: TO252
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IPD105N03LG datasheet
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ipd100n04s4-02.pdf
IPD100N04S4-02 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 2.0 m DS(on),max I 100 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD100N04S4-02 PG-TO252-3-313 4N0402 Maximum ratin
ipd100n04s4l-02.pdf
IPD100N04S4L-02 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.9 mW ID 100 A Features OptiMOSTM - power MOSFET for automotive applications PG-TO252-3-313 N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Typ
Otros transistores... IPD068P03L3G, IPD075N03LG, IPD079N06L3G, IPD082N10N3G, IPD088N04LG, IPD088N06N3G, IPD090N03LG, IPD096N08N3G, AO4407A, IPD105N04LG, IPD110N12N3G, IPD122N10N3G, IPD127N06LG, IPD12CN10NG, IPD135N03LG, IPD135N08N3G, IPD144N06NG
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Liste
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MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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