IPG20N04S4-09 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPG20N04S4-09
   Código: 4N0409
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON84

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPG20N04S4-09

IPG20N04S4-09 Datasheet (PDF)

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ipg20n04s4-09 ipg20n04s4-09 ds 1 0.pdf

IPG20N04S4-09OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)8.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-09 PG-TDSON-8-4 4

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ipg20n04s4-08 ipg20n04s4-08 ds 1 0.pdf

IPG20N04S4-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)7.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-08 PG-TDSON-8-4 4

3.1. Size:159K infineon
ipg20n04s4-12 ipg20n04s4-12 ds 1 0.pdf

IPG20N04S4-12OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)12.2mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-12 PG-TDSON-8-4

3.2. Size:516K infineon
ipg20n04s4-18a.pdf

IPG20N04S4-18AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS40 VRDS(on),max4)18mWID 2)20 AFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested8 7 6 5 Feasible for automatic optical inspe

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Liste

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