IPI45N06S4-09 Todos los transistores

 

IPI45N06S4-09 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI45N06S4-09

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 71 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Corriente continua de drenaje (Id): 45 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 47 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0091 Ohm

Empaquetado / Estuche: PGTO263

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IPI45N06S4-09 Datasheet (PDF)

1.1. ipp45n06s4l ipb45n06s4l ipi45n06s4l-08.pdf Size:170K _infineon

IPI45N06S4-09
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IPB45N06S4L-08 IPI45N06S4L-08, IPP45N06S4L-08 OptiMOS-T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 7.9 m? DS(on),max I 45 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marki

3.1. ipp45n04s4l-08 ipb45n04s4l-08 ipi45n04s4l-08.pdf Size:159K _infineon

IPI45N06S4-09
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IPB45N04S4L-08 IPI45N04S4L-08, IPP45N04S4L-08 OptiMOS-T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R (SMD version) 7.6 m? DS(on),max I 45 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking I

 

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