IPI47N10S-33 Todos los transistores

 

IPI47N10S-33 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI47N10S-33

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 175 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Corriente continua de drenaje (Id): 33 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 105 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.033 Ohm

Empaquetado / Estuche: PGTO262

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IPI47N10S-33 Datasheet (PDF)

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