IPI47N10S-33 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI47N10S-33

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: TO262

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IPI47N10S-33 datasheet

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IPI47N10S-33

IPI47N10S-33 IPP47N10S-33, IPB47N10S-33 SIPMOS =Power-Transistor = == Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 33 m Enhancement mode ID 47 A 175 C operating temperature P-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking IPP47N10S-33 PG-TO220-3-1 SP0002-25706 N1033 IPB47N10S-33 PG-TO263-3-2 SP00

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 ipb47n10sl-26 ipp47n10sl-26 ipi47n10sl-26.pdf pdf_icon

IPI47N10S-33

IPI47N10SL-26 IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26 SIPMOS =Power-Transistor = == Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 26 m Enhancement mode ID 47 A Logic Level P-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Green package (lead free) Type Package Ordering Code Marking IPP47N10SL-26 PG-TO220-3-1 S

Otros transistores... IPI100N10S3-05, IPI100P03P3L-04, IPI120N04S3-02, IPI120N06S4-03, IPI22N03S4L-15, IPI45N06S4-09, IPI45N06S4L-08, IPI45P03P4L-11, IRFB31N20D, IPI47N10SL-26, IPI50N10S3L-16, IPI70N04S3-07, IPI70N10S3-12, IPI70N10S3L-12, IPI70N10SL-16, IPI80N03S4L-03, IPI80N03S4L-04