IPI50R399CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPI50R399CP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.399 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPI50R399CP

IPI50R399CP Datasheet (PDF)

..1. Size:547K infineon
ipi50r399cp rev20.pdf

IPI50R399CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @Tjmax 560 V!0 V )DL:HI ;>I / M ., + gR 0. 99 DS(on) maxV 2 AIG6 ADL INV -7 ;G:: A:69 EA6I>C6CI PGTO2621)V . J6Ai;>:9 688DG9>CI8=>C

..2. Size:287K inchange semiconductor
ipi50r399cp.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI50R399CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.399Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

7.1. Size:2917K infineon
ipi50r380ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R380CE Data SheetRev. 2.0, 2010-08-27Final Industrial & Multimarket500V CoolMOS CE Power Transistor IPP50R380CE, IPA50R380CEIPI50R380CE1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (S

7.2. Size:546K infineon
ipi50r350cp rev20a.pdf

IPI50R350CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @Tjmax 550 V!0 U )DK:GH ;>H / L ., + gR 0. 50 DS(on) maxU 2 AHF6 ADK HMU -7 ;F:: A:69 EA6H>C6CH PGTO2621)U . I6Ai;>:9 688DF9>CH8=

7.3. Size:287K inchange semiconductor
ipi50r350cp.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI50R350CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.35Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

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Liste

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