IPP023NE7N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPP023NE7N3G
Código: 023NE7N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de IPP023NE7N3G MOSFET
IPP023NE7N3G Datasheet (PDF)
ipp023ne7n3g ipi023ne7n3g.pdf

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ipp023ne7n3 ipi023ne7n31.pdf

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ipp023ne7n3.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP023NE7N3IIPP023NE7N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE M
ipb023n04n ipp023n04ng ipb023n04ng.pdf

pe IPP023N04N GIPB023N04N G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 4 D Q &( , - 7@B ( + :?8 2?5 . ?:?D6BBEAD:3=6 )@G6B ,EAA=I R m , @? >2H 1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CI DQ ' 492??6=Q '@B>2= =6F6=Q . =DB2 =@G @? B6C:CD2?46 RD n)Q F2=2?496 D6CD65Q )3 7B66 A=2D:?8 + @", 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@B5:?8 D@ # Type #) ' '
Otros transistores... IPP80N08S2L-07 , IPP80P03P4L-04 , IPP80P03P4L-07 , IPP90N04S4-02 , IPP90N06S4-04 , IPP90N06S4L-04 , IPP015N04NG , IPP023N04NG , IRFB3607 , IPP024N06N3G , IPP028N08N3G , IPP030N10N3G , IPP032N06N3G , IPP034N03LG , IPP034NE7N3G , IPP037N06L3G , IPP037N08N3G .
History: PSMN4R3-100PS | WST3407A | 2SJ547 | WMS090N04LG2 | HSD6004
History: PSMN4R3-100PS | WST3407A | 2SJ547 | WMS090N04LG2 | HSD6004



Liste
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