IPP048N12N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPP048N12N3G
   Código: 048N12N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 137 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPP048N12N3G

IPP048N12N3G Datasheet (PDF)

..1. Size:566K infineon
ipp048n12n3g.pdf

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3.1. Size:245K inchange semiconductor
ipp048n12n3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP048N12N3IIPP048N12N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 4.8mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

7.1. Size:734K infineon
ipb048n06lg ipp048n06lg5.pdf

IPP048N06L G IPB048N06L G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>R 4 4 m , ?> =1G ,' E5AB9?>P ( 381>>581>35=5>C

7.2. Size:565K infineon
ipp048n04n.pdf

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7.3. Size:1926K cn vbsemi
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IPP048N06www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0035 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0090 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 210 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/9

7.4. Size:2138K cn vbsemi
ipp048n04.pdf

IPP048N04www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0055 at VGS = 10 V 100COMPLIANT 40 130 nC0.0070 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220AB Power SuppliesDGSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUT

7.5. Size:246K inchange semiconductor
ipp048n04n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP048N04NIIPP048N04NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 4.8mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAX

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPB65R225C7

Liste

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