IPS050N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPS050N03LG
Código: 050N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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IPS050N03LG Datasheet (PDF)
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Type IPD050N03L G IPF050N03L GIPS050N03L G IPU050N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 50 A Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on
ipd050n03l ipf050n03l ips050n03l ipu050n03l.pdf
Type IPD050N03L G IPF050N03L GIPS050N03L G IPU050N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low
ips0551t.pdf
Data Sheet No. PD60160-BIPS0551TFULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCHProduct SummaryFeatures Over temperature shutdown Over current shutdown Rds(on) 6.0m (max) Active clamp Low current & logic level inputV clamp 40V E.S.D protectionIshutdown 100ADescriptionTon/Toff 4sThe IPS0551T is a fully protected three terminal SMARTPOWER MOSFET that features
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Liste
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