IPS118N10NG Todos los transistores

 

IPS118N10NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPS118N10NG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 489 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IPS118N10NG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:570K  infineon
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IPS118N10NG

$& " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 100 VDSR ( 492??6= ?@C>2= =6G6= 11.8 m DS(on) maxR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E !) ' DS(on) 75 ADR /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 DS(on)R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @#- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R $562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E:7:4

 9.1. Size:587K  infineon
 ipds110n12n3g ips110n12n3g ips110n12n3 ipd110n12n3.pdf pdf_icon

IPS118N10NG

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 120VOptiMOS 3 Power-TransistorIPD_S110N12N3 GData SheetRev. 2.4FinalIndustrial & MultimarketIPD110N12N3 G IPS110N12N3 GOptiMOSTM3Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 120 V N-channel, normal levelRDS(on),max11m Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)

 9.2. Size:261K  inchange semiconductor
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IPS118N10NG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS110N12N3FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

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History: STP12N65M5 | PMV30ENEA

 

 
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