IPW60R075CPA Todos los transistores

 

IPW60R075CPA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPW60R075CPA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPW60R075CPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  infineon
 ipw60r075cpa.pdf pdf_icon

IPW60R075CPA

IPW60R075CPACoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryV 600 VDSR 0.075DS(on),maxQ 87 nCg,typFeatures Lowest figure-of-merit RON x Qg Ultra low gate charge Extreme dv/dt ratedPG-TO247-3 High peak current capability Automotive AEC Q101 qualified Green package (RoHS compliant)CoolMOS CPA is specially designed for: DC/DC converters for Aut

 3.1. Size:533K  infineon
 ipw60r075cp rev23.pdf pdf_icon

IPW60R075CPA

IPW60R075CPCIMOS&! #:A0INV . J6A>;>:9 688DG9>CC6CIPGTO247 V 2 AIG6 ADL

 3.2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipw60r075cp.pdf pdf_icon

IPW60R075CPA

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPW60R075CPIIPW60R075CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)75mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou

 6.1. Size:1855K  infineon
 ipw60r070p6.pdf pdf_icon

IPW60R075CPA

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS P6600V CoolMOS P6 Power TransistorIPW60R070P6Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS P6 Power TransistorIPW60R070P6TO-2471 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpion

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History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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