IPW60R099CPA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPW60R099CPA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Encapsulados: TO247
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IPW60R099CPA datasheet
ipw60r099cpa.pdf
IPW60R099CPA CoolMOSTM Power Transistor Product Summary V 600 V DS R 0.105 DS(on),max Q 60 nC g,typ Features Lowest figure-of-merit RON x Qg Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated PG-TO247-3 High peak current capability Automotive AEC Q101 qualified Green package (RoHS compliant) CoolMOS CPA is specially designed for DC/DC converters for Aut
ipw60r099cp.pdf
IPW60R099CP TM C IMOSTM # A0IN V . J6A>;> 9 688DG9>CC6CI PG TO247 1 V 2 AIG6 ADL
ipw60r099cp.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPW60R099CP IIPW60R099CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 99m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Peak Current Capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI
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Liste
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