IPW90R800C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPW90R800C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
IPW90R800C3 Datasheet (PDF)
ipw90r800c3.pdf

IPW90R800C3CoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ T =25C 900 VDS J Lowest figure-of-merit RON x QgR @ T = 25C 0.8DS(on),max J Extreme dv/dt ratedQ 42 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TO247 Ultra low gate chargeCoolMOS 90
ipw90r1k2c3.pdf

IPW90R1K2C3CIMOS #:A0INU . J6A>;>:9 for industrial grade applications 688DG9>CC6CIU 2 AIG6 ADL
ipw90r340c3.pdf

IPW90R340C3CIMOS #:A0INU . J6A>;>:9 for industrial grade applications 688DG9>CC6CIU 2 AIG6 ADL
ipw90r1k0c3.pdf

IPW90R1K0C3CoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ T =25C 900 VDS J Lowest figure-of-merit RON x QgR @ T = 25C 1.0DS(on),max J Extreme dv/dt ratedQ 34 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TO247 Ultra low gate chargeCoolMOS 90
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