SPD04P10PG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPD04P10PG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO252

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SPD04P10PG datasheet

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SPD04P10PG

SPD04P10P G SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V -100 V DS P-Channel R 1 DS(on),max Enhancement mode I -4 A D Normal level Avalanche rated PG-TO252-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Type Package Marking Lead free Packing Tape and reel information SPD04P10P G PG-TO252-3 04P10P Yes Non dry 1000 pcs

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SPD04P10PG

&# # # #;B1= '=- >5>?;= #=;0@/? &@99-=D Features 100 V DS DS Q * 92??6= 850 m DS(on) max Q ?92?46>6?D >@56 4.2 A D Q &@8 4 =6F6= Q F2=2?496 B2D65 PG TO 252-3 -3 Q *3 7B66 =625 A=2D ?8 + @", 4@>A= 2?D Type Package Marking 1-0 2=11 Packing Tape and reel information ,* * *& ! PG TO252 04P10PL Yes ( @? 5BI 1000 pcs / reel !-C59@9 =-?5 3> 2D T E?=6CC @D96

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SPD04P10PG

SPD04P10PL G SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V -100 V DS P-Channel R 850 m DS(on),max Enhancement mode I -4.2 A D Logic level Avalanche rated PG-TO-252-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Type Package Marking Lead free Packing Tape and reel information SPD04P10PL G PG-TO252-3 04P10PL Yes Non dry

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SPD04P10PG

&# # # &# # # #;B1= '=- >5>?;= #=;0@/? &@99-=D Features 100 V DS DS P ) 81>>581>35=5>C =?45 4 A 4 D P '?A=1

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