SPD04P10PG Todos los transistores

 

SPD04P10PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPD04P10PG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SPD04P10PG Datasheet (PDF)

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SPD04P10PG

SPD04P10P GSIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -100 VDS P-ChannelR 1DS(on),max Enhancement modeI -4 AD Normal level Avalanche ratedPG-TO252-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Type Package Marking Lead free Packing Tape and reel informationSPD04P10P G PG-TO252-3 04P10P Yes Non dry 1000 pcs

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SPD04P10PG

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SPD04P10PG

SPD04P10PL GSIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -100 VDS P-ChannelR 850mDS(on),max Enhancement modeI -4.2 AD Logic level Avalanche ratedPG-TO-252-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Type Package Marking Lead free Packing Tape and reel informationSPD04P10PL G PG-TO252-3 04P10PL Yes Non dry

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SPD04P10PG

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History: STW34N65M5 | BSP613P | IRF520S | BSR606N | VBZE04N03 | NVMFD5C462N | 7N65L-T2Q-T

 

 
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