SPI08N50C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPI08N50C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO262

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SPI08N50C3 datasheet

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 spp08n50c3 spi08n50c3 spp08n50c3 spi08n50c3 spa08n50c3 rev.2.91.pdf pdf_icon

SPI08N50C3

SPP08N50C3, SPI08N50C3 SPA08N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.6 New revolutionary high voltage technology ID 7.6 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111

 8.1. Size:463K  infineon
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SPI08N50C3

SPI08N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V 800 V DS New revolutionary high voltage technology R @ Tj = 25 C 0.65 DS(on)max Extreme dv/dt rated Q 45 nC g,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant PG-TO262-3 Ultra low gate charge Ultra low eff

Otros transistores... SPD30P06PG, SPD50N03S2-07G, SPD50N03S2L-06G, SPD50P03LG, SPI80N06S-08, SPI07N60C3, SPI07N60S5, SPI07N65C3, IRLZ44N, SPI08N80C3, SPI11N60C3, SPI11N60CFD, SPI11N60S5, SPI11N65C3, SPI12N50C3, SPI15N60C3, SPI15N60CFD