BF861C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BF861C
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.025 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 300 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BF861C

BF861C Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF861A; BF861B; BF861CN-channel junction FETs1995 Apr 14Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationN-channel junction FETs BF861A; BF861B; BF861CFEATURES High transfer admittancehandbook, halfpage21 Low input capacitance Low feedback capaci

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF861A; BF861B; BF861CN-channel junction FETs1997 Sep 04Product specificationSupersedes data of 1995 Apr 14File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel junction FETs BF861A; BF861B; BF861CFEATURES High transfer admittancehandbook, halfpage21 Low input capacitance Low feedbac

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BF861A; BF861B; BF861CN-channel junction FETsRev. 04 24 September 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel symmetrical junction field effect transistors in a SOT23 package.CAUTIONThe device is supplied in an antistatic package. The gate-source input must be protected againststatic discharge during transport or handling.MSC8951.2 Features

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Liste

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