IRF3515L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF3515L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: TO262
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IRF3515L datasheet
irf3515l.pdf
PD- 91899B IRF3515S SMPS MOSFET IRF3515L HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply 150V 0.045 41A High speed power switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
irf3515s.pdf
PD- 91899B IRF3515S SMPS MOSFET IRF3515L HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply 150V 0.045 41A High speed power switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
2n6768 irf350.pdf
PD - 90339F IRF350 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6768 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/543] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF350 400V 0.300 14A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces
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