IRF3709Z Todos los transistores

 

IRF3709Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF3709Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRF3709Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  international rectifier
 irf3709z irf3709zl irf3709zs.pdf pdf_icon

IRF3709Z

PD - 95835IRF3709ZIRF3709ZSIRF3709ZLApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Power30V 6.3m: 17nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche VoltageTO-220ABD2Pak TO-262and CurrentIRF3709ZIRF3709ZS IRF3709ZLAbsolute Maximum RatingsParameter M

 ..2. Size:377K  international rectifier
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IRF3709Z

PD -95465IRF3709ZPbFIRF3709ZSPbFIRF3709ZLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl Lead-Free30V 6.3m: 17nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche VoltageTO-220ABD2Pak TO-262and CurrentIRF3709ZIRF3709ZS IRF3709ZLAbsolute Maximum

 ..3. Size:377K  international rectifier
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IRF3709Z

PD -95465IRF3709ZPbFIRF3709ZSPbFIRF3709ZLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl Lead-Free30V 6.3m: 17nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche VoltageTO-220ABD2Pak TO-262and CurrentIRF3709ZIRF3709ZS IRF3709ZLAbsolute Maximum

 ..4. Size:247K  inchange semiconductor
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IRF3709Z

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3709Z IIRF3709ZFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 6.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

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History: SI9926CDY | 2SK2572 | UTT25N08

 

 
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