IRF3711Z Todos los transistores

 

IRF3711Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF3711Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF3711Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  international rectifier
irf3711zlpbf irf3711zpbf irf3711zspbf.pdf pdf_icon

IRF3711Z

PD - 95530IRF3711ZPbFIRF3711ZSPbFIRF3711ZLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxConverters for Computer Processor Power Qgl Lead-Free20V 6.0m: 16nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentTO-220ABD2Pak TO-262IRF3711ZIRF3711ZS IRF3711ZLAbsolut

 ..2. Size:302K  international rectifier
irf3711z irf3711zs irf3711zl.pdf pdf_icon

IRF3711Z

PD - 94757AIRF3711ZIRF3711ZSIRF3711ZLApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxConverters for Computer Processor Power Qg20V 6.0m: 16nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentTO-220ABD2Pak TO-262IRF3711ZIRF3711ZS IRF3711ZLAbsolute Maximum RatingsPa

 0.1. Size:277K  international rectifier
irf3711zcl.pdf pdf_icon

IRF3711Z

PD - 94792IRF3711ZCSIRF3711ZCLApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxConverters for Computer Processor Power Qg20V 6.0m: 16nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD2Pak TO-262IRF3711ZCS IRF3711ZCLAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsVDSDr

 0.2. Size:277K  international rectifier
irf3711zcs.pdf pdf_icon

IRF3711Z

PD - 94792IRF3711ZCSIRF3711ZCLApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxConverters for Computer Processor Power Qg20V 6.0m: 16nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD2Pak TO-262IRF3711ZCS IRF3711ZCLAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsVDSDr

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IMW65R027M1H

 

 
Back to Top

 


 
.