IRF6628 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6628

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6628 datasheet

 ..1. Size:274K  international rectifier
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IRF6628

PD - 97234 IRF6628PbF IRF6628TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Application Specific MOSFETs 25V max 20V max 1.9m @ 10V 2.5m @ 4.5V l Ideal for CPU Core DC-DC Converters Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Low Conduction Losses 31nC 12nC 4.1nC

 8.1. Size:180K  international rectifier
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IRF6628

PD - 95823A IRF6620 HEXFET Power MOSFET l Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters VDSS RDS(on) max Qg(typ.) l Low Conduction Losses 20V 2.7m @VGS = 10V 28nC l Low Switching Losses 3.6m @VGS = 4.5V l Low Profile (

 8.2. Size:232K  international rectifier
irf6620pbf irf6620trpbf.pdf pdf_icon

IRF6628

PD - 97092 IRF6620PbF IRF6620TRPbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant VDSS RDS(on) max Qg(typ.) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) l Application Specific MOSFETs 20V 2.7m @VGS = 10V 28nC l Ideal for CPU Core DC-DC Converters 3.6m @VGS = 4.5V l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Low Profile (

 8.3. Size:636K  international rectifier
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IRF6628

PD - 96976D IRF6626 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS compliant containing no lead or bromide l Low Profile (

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