IRF6633A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6633A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6633A datasheet

 ..1. Size:263K  international rectifier
 irf6633apbf.pdf pdf_icon

IRF6633A

PD - 97122A IRF6633APbF IRF6633ATRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) 20V max 20V max 4.1m @ 10V 7.0m @ 4.5V l Application Specific MOSFETs Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ideal for CPU Core DC-DC Converters 11nC 3.9nC 1.7nC 33nC 8.5nC 1.8V l Lo

 7.1. Size:260K  international rectifier
 irf6633.pdf pdf_icon

IRF6633A

PD - 96989B IRF6633 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.1. Size:248K  international rectifier
 irf6631.pdf pdf_icon

IRF6633A

PD - 97183 IRF6631 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:263K  international rectifier
 irf6637pbf irf6637trpbf.pdf pdf_icon

IRF6633A

PD - 97088 IRF6637PbF IRF6637TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) 30V max 20V max 5.7m @ 10V 8.2m @ 4.5V l Application Specific MOSFETs Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses and Switching L

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