IRF6636 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF6636
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.45 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF6636

IRF6636 Datasheet (PDF)

..1. Size:266K international rectifier
irf6636.pdf

PD - 96977DIRF6636DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

8.1. Size:248K international rectifier
irf6631.pdf

PD - 97183IRF6631DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

8.2. Size:260K international rectifier
irf6633.pdf

PD - 96989BIRF6633DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

8.3. Size:263K international rectifier
irf6633apbf.pdf

PD - 97122AIRF6633APbFIRF6633ATRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)20V max 20V max 4.1m@ 10V 7.0m@ 4.5Vl Application Specific MOSFETsQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ideal for CPU Core DC-DC Converters11nC 3.9nC 1.7nC 33nC 8.5nC 1.8Vl Lo

8.4. Size:269K international rectifier
irf6638pbf.pdf

PD - 97239IRF6638PbFIRF6638TRPbFDirectFET Power MOSFET l RoHs Compliant Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Application Specific MOSFETsl Ideal for CPU Core DC-DC Converters 30V max 20V max 2.2m@ 10V 3.0m@ 4.5Vl Low Conduction LossesQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l High Cdv/dt I

8.5. Size:255K international rectifier
irf6635pbf.pdf

PD - 97086IRF6635PbFIRF6635TRPbFDirectFET Power MOSFET l RoHs Compliant Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Application Specific MOSFETsl Ideal for CPU Core DC-DC Converters30V max 20V max 1.3m@ 10V 1.8m@ 4.5Vl Low Conduction LossesQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l High Cdv/dt

8.6. Size:263K international rectifier
irf6637pbf.pdf

PD - 97088IRF6637PbFIRF6637TRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)30V max 20V max 5.7m@ 10V 8.2m@ 4.5Vl Application Specific MOSFETsQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ideal for CPU Core DC-DC Convertersl Low Conduction Losses and Switching L

8.7. Size:263K infineon
irf6637pbf irf6637trpbf.pdf

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Liste

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