IRF6636 Todos los transistores

 

IRF6636 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF6636
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
 

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IRF6636 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  international rectifier
 irf6636.pdf pdf_icon

IRF6636

PD - 96977DIRF6636DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.1. Size:248K  international rectifier
 irf6631.pdf pdf_icon

IRF6636

PD - 97183IRF6631DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:263K  international rectifier
 irf6637pbf irf6637trpbf.pdf pdf_icon

IRF6636

PD - 97088IRF6637PbFIRF6637TRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)30V max 20V max 5.7m@ 10V 8.2m@ 4.5Vl Application Specific MOSFETsQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ideal for CPU Core DC-DC Convertersl Low Conduction Losses and Switching L

 8.3. Size:260K  international rectifier
 irf6633.pdf pdf_icon

IRF6636

PD - 96989BIRF6633DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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History: 2SJ368 | SM1A15PSF | IXTA3N120TRL | 2SK1515 | APT50M80B2VFR

 

 
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