IRF6706S2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6706S2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6706S2 datasheet

 0.1. Size:255K  international rectifier
 irf6706s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF6706S2

PD - 97485 IRF6706S2TRPbF IRF6706S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

 8.1. Size:268K  1
 irf6702m2d.pdf pdf_icon

IRF6706S2

PD - 97540 IRF6702M2DTRPbF IRF6702M2DTR1PbF Applications l Dual Common Drain Control MOSFETs for DirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified) Features VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two discrete high side MOSFETs 30V max 20V max 5.2m @ 10V 8.6m @ 4.5V l Optimized for High Frequency Switching l Low Profile (

 8.2. Size:303K  international rectifier
 irf6708s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF6706S2

PD - 96314C IRF6708S2TRPbF IRF6708S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

 8.3. Size:262K  international rectifier
 irf6709s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF6706S2

PD - 97328A IRF6709S2TRPbF IRF6709S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

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