IRF6718L2 Todos los transistores

 

IRF6718L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF6718L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0007 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
 

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IRF6718L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  international rectifier
 irf6718l2.pdf pdf_icon

IRF6718L2

PD - 97395EIRF6718L2TRPbFIRF6718L2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified)l Dual Sided Cooling Compatible VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Ultra Low Package Inductance25V max 20V max 0.50m@10V 1.0m@4.5Vl Very Low RDS(ON) for Reduced Conduction LossesQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l O

 8.1. Size:302K  international rectifier
 irf6711spbf.pdf pdf_icon

IRF6718L2

PD - 96280IRF6711SPbFIRF6711STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:256K  international rectifier
 irf6714mpbf.pdf pdf_icon

IRF6718L2

PD - 96130AIRF6714MPbFIRF6714MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen Free l Low Profile (

 8.3. Size:218K  international rectifier
 irf6717mpbf.pdf pdf_icon

IRF6718L2

PD - 97345CIRF6717MPbFIRF6717MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halgen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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History: 50N06FI | 2SK2534

 

 
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