IRF6718L2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6718L2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0007 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6718L2 datasheet

 ..1. Size:231K  international rectifier
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IRF6718L2

PD - 97395E IRF6718L2TRPbF IRF6718L2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified) l Dual Sided Cooling Compatible VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Ultra Low Package Inductance 25V max 20V max 0.50m @10V 1.0m @4.5V l Very Low RDS(ON) for Reduced Conduction Losses Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l O

 8.1. Size:302K  international rectifier
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IRF6718L2

PD - 96280 IRF6711SPbF IRF6711STRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:256K  international rectifier
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IRF6718L2

PD - 96130A IRF6714MPbF IRF6714MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant and Halogen Free l Low Profile (

 8.3. Size:218K  international rectifier
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IRF6718L2

PD - 97345C IRF6717MPbF IRF6717MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant and Halgen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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