IRF6724M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6724M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 885 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: DIRECTFET
Búsqueda de reemplazo de IRF6724M MOSFET
IRF6724M Datasheet (PDF)
irf6724mpbf.pdf
PD -97131AIRF6724MPbFIRF6724MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6723m2d.pdf
PD - 97441IRF6723M2DTRPbFIRF6723M2DTR1PbFApplicationsl Dual Common Drain Control MOSFETs forDirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified)FeaturesVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two Discrete MOSFETs30V max 20V max 5.2m@ 10V 8.6m@ 4.5Vl Optimized for High Frequency Switchingl Low Profile (
irf6722mpbf irf6722mtrpbf.pdf
PD - 96136IRF6722MPbFIRF6722MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6725mpbf.pdf
PD - 96120AIRF6725MPbFIRF6725MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
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Liste
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