IRF6725M Todos los transistores

 

IRF6725M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF6725M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF6725M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  international rectifier
 irf6725mpbf.pdf pdf_icon

IRF6725M

PD - 96120AIRF6725MPbFIRF6725MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.1. Size:265K  1
 irf6723m2d.pdf pdf_icon

IRF6725M

PD - 97441IRF6723M2DTRPbFIRF6723M2DTR1PbFApplicationsl Dual Common Drain Control MOSFETs forDirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified)FeaturesVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two Discrete MOSFETs30V max 20V max 5.2m@ 10V 8.6m@ 4.5Vl Optimized for High Frequency Switchingl Low Profile (

 8.2. Size:259K  international rectifier
 irf6722mpbf irf6722mtrpbf.pdf pdf_icon

IRF6725M

PD - 96136IRF6722MPbFIRF6722MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.3. Size:264K  international rectifier
 irf6722spbf.pdf pdf_icon

IRF6725M

PD - 96137IRF6722SPbFIRF6722STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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History: MS50N06 | IPP070N06LG | HMS28N65F | MPSP60M600

 

 
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