IRF6726M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6726M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6726M datasheet

 ..1. Size:253K  international rectifier
 irf6726mpbf.pdf pdf_icon

IRF6726M

PD - 96121 IRF6726MPbF IRF6726MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.1. Size:265K  1
 irf6723m2d.pdf pdf_icon

IRF6726M

PD - 97441 IRF6723M2DTRPbF IRF6723M2DTR1PbF Applications l Dual Common Drain Control MOSFETs for DirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified) Features VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two Discrete MOSFETs 30V max 20V max 5.2m @ 10V 8.6m @ 4.5V l Optimized for High Frequency Switching l Low Profile (

 8.2. Size:259K  international rectifier
 irf6722mpbf irf6722mtrpbf.pdf pdf_icon

IRF6726M

PD - 96136 IRF6722MPbF IRF6722MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.3. Size:255K  international rectifier
 irf6725mpbf.pdf pdf_icon

IRF6726M

PD - 96120A IRF6725MPbF IRF6725MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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