IRF6795M Todos los transistores

 

IRF6795M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF6795M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
 

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IRF6795M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  international rectifier
 irf6795m.pdf pdf_icon

IRF6795M

PD - 97321CIRF6795MPbFIRF6795MTRPbFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode25V max 20V max 1.4m@ 10V 2.4m@ 4.5Vl Low Profile (

 8.1. Size:248K  international rectifier
 irf6798m.pdf pdf_icon

IRF6795M

PD - 97433BIRF6798MPbFIRF6798MTRPbFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode25V max 20V max 0.95m@ 10V 1.6m@ 4.5Vl Low Profile (

 8.2. Size:237K  international rectifier
 irf6797mpbf irf6797mtrpbf.pdf pdf_icon

IRF6795M

PD - 97320AIRF6797MPbFIRF6797MTRPbFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diodel Low Profile (

 8.3. Size:316K  international rectifier
 irf6794m.pdf pdf_icon

IRF6795M

PD - 97457IRF6794MPbFIRF6794MTRPbFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode25V max 20V max 1.3m@ 10V 2.3m@ 4.5Vl Low Profile (

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History: IPI80N06S4L-05

 

 
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