IRF6797M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6797M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.35 VQgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1790 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
Paquete / Cubierta: DIRECTFET
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF6797M
IRF6797M Datasheet (PDF)
irf6797mpbf irf6797mtrpbf.pdf
PD - 97320AIRF6797MPbFIRF6797MTRPbFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diodel Low Profile (
irf6795m.pdf
PD - 97321CIRF6795MPbFIRF6795MTRPbFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode25V max 20V max 1.4m@ 10V 2.4m@ 4.5Vl Low Profile (
irf6798m.pdf
PD - 97433BIRF6798MPbFIRF6798MTRPbFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode25V max 20V max 0.95m@ 10V 1.6m@ 4.5Vl Low Profile (
irf6794m.pdf
PD - 97457IRF6794MPbFIRF6794MTRPbFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode25V max 20V max 1.3m@ 10V 2.3m@ 4.5Vl Low Profile (
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Liste
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