IRF7468 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7468

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 23 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0155 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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IRF7468 Datasheet (PDF)

1.1. irf7468pbf.pdf Size:126K _upd-mosfet

PD - 95344 IRF7468PbF SMPS MOSFET HEXFET® Power MOSFET Applications l High Frequency Isolated DC-DC VDSS RDS(on) max(mW) ID Converters with Synchronous Rectification 40V 15.5@VGS = 10V 9.4A for Telecom and Industrial Use l High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power l Lead-Free A A 1 8 S D 2 7 Benefits S D 3 6 S D l Ultra-Low Gate Impedance 4 5 G D l V

1.2. irf7468pbf.pdf Size:126K _international_rectifier

1.3. irf7468.pdf Size:232K _international_rectifier

PD - 93914D IRF7468 SMPS MOSFET HEXFET® Power MOSFET Applications Ω) VDSS RDS(on) max(mΩ) ID Ω) Ω) Ω) High Frequency Isolated DC-DC 40V 15.5@VGS = 10V 9.4A Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power A A 1 8 S D Benefits 2 7 S D Ultra-Low Gate Impedance 3 6 S D Ver

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Liste

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