IRF7478Q Todos los transistores

 

IRF7478Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7478Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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IRF7478Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  international rectifier
 irf7478qpbf.pdf pdf_icon

IRF7478Q

PD- 96128SMPS MOSFETIRF7478QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl N Channel MOSFET60V 26@VGS = 10V 4.2Al Surface Mount30@VGS = 4.5V 3.5Al Available in Tape & Reell 150C Operating Temperaturel Automotive [Q101] QualifiedAAl Lead-Free1 8S DDescription 2 7S DSpecifically designed for Autom

 0.1. Size:211K  international rectifier
 auirf7478q.pdf pdf_icon

IRF7478Q

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7478QFeatures HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology AAV(BR)DSS1 8 60V Low On-Resistance S D Logic Level Gate Drive2 7S DRDS(on) typ.20m Dynamic dV/dT Rating3 6S D 150C Operating Temperaturemax. 26m Fast Switching 45G D Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 7.0A Top View Lead-Free,

 7.1. Size:209K  international rectifier
 irf7478.pdf pdf_icon

IRF7478Q

PD- 94055AIRF7478SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplications)VDSS RDS(on) max (m) ID))) High frequency DC-DC converters60V 26@VGS = 10V 4.2A30@VGS = 4.5V 3.5ABenefitsAA1 8S D Low Gate to Drain Charge to Reduce2 7Switching LossesS D Fully Characterized Capacitance Including3 6S DEffective COSS to Simplify Design, (See4 5G DA

 7.2. Size:197K  international rectifier
 irf7478pbf-1.pdf pdf_icon

IRF7478Q

IRF7478PbF-1SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETAVDS 60 VA1 8S DRDS(on) max 262 7(@V = 10V) S DGSmRDS(on) max 3 6S D30(@V = 4.5V)GS45G DQg (typical) 21 nCID SO-87.0 A Top View(@T = 25C)AApplicationsl High frequency DC-DC convertersFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible wit

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