FTS01N15G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTS01N15G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: SOT223

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FTS01N15G datasheet

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FTS01N15G

FTS01N15G 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features ESD improved capability BV R I DSX DS(ON) (Typ.) D High dense cell design for extremely low R . DS(ON) Rugged polysilicon gate cell structure 150V 0.45 1.3A RoHS compliant Halogen-free available SOT-223 D D Applications G Relay driver G High speed line driver

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