IRF8721G Todos los transistores

 

IRF8721G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF8721G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.35 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 229 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF8721G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  international rectifier
 irf8721gpbf.pdf pdf_icon

IRF8721G

PD - 96262IRF8721GPbFApplications HEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook ProcessorPower8.5m @VGS = 10V30V 8.3nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsABenefitsA1 8S Dl Very Low Gate Charge2 7S Dl Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6l Low Gate Impedance S D4 5l Fully Chara

 7.1. Size:207K  international rectifier
 irf8721pbf-1.pdf pdf_icon

IRF8721G

IRF8721PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS 30 VA1 8S DRDS(on) max 8.5 m2 7S D(@V = 10V)GS3 6Qg (typical) 8.3 nCS DID 4 5G D14 A(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Powerl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinou

 7.2. Size:229K  international rectifier
 irf8721pbf.pdf pdf_icon

IRF8721G

PD - 97119IRF8721PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck VDSS RDS(on) maxQg Converters used for Notebook Processor8.5m30V :@VGS = 10V8.3nCPowerl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsAABenefits1 8S Dl Very Low Gate Charge2 7S Dl Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Low Gate Impedance45G Dl Ful

 7.3. Size:1491K  cn vbsemi
 irf8721tr.pdf pdf_icon

IRF8721G

IRF8721TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = 10 V 1330 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.011 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

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History: HUF76419D3

 

 
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