IRFB33N15D Todos los transistores

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IRFB33N15D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFB33N15D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 170 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 33 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.056 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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IRFB33N15D Datasheet (PDF)

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PD- 93903 IRFB33N15D IRFS33N15D SMPS MOSFET IRFSL33N15D HEXFET® Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 150V 0.056Ω 33A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current T

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