IRFH7936 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFH7936
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.35 VQgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: PQFN5X6
Búsqueda de reemplazo de IRFH7936 MOSFET
IRFH7936 Datasheet (PDF)
irfh7936pbf.pdf

PD -97337AIRFH7936PbFApplications HEXFET Power MOSFETl Synchronous MOSFET for NotebookVDSS RDS(on) maxQgProcessor Powerl Synchronous Rectifer MOSFET for Isolated4.8m@VGS = 10V30V 17nCDC-DC Converters in Networking SystemsBenefitsSl Very low RDS(ON) at 4.5V VGSSl Low Gate Charge DSl Fully Characterized Avalanche Voltage andDGCurrentDl 100% Teste
irfh7934trpbf.pdf

IRFH7934PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max Qgl Control MOSFET of Sync-Buck Convertersused for Notebook Processor Power 30V 3.5m @VGS = 10V 20nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsl Very low RDS(ON) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltage andCurrentl 100% Tested for RGPQFN 5X6 mml L
irfh7932pbf.pdf

IRFH7932PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Synchronous MOSFET for NotebookVDSS RDS(on) maxQgProcessor Powerl Synchronous Rectifer MOSFET for Isolated3.3m @VGS = 10V30V 34nCDC-DC Converters in Networking SystemsBenefitsSl Very low RDS(ON) at 4.5V VGSSl Low Gate Charge DSl Fully Characterized Avalanche Voltage andDGCurrentDl 100% Tested for RGDl
irfh7934pbf.pdf

IRFH7934PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max Qgl Control MOSFET of Sync-Buck Convertersused for Notebook Processor Power 30V 3.5m @VGS = 10V 20nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsl Very low RDS(ON) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltage andCurrentl 100% Tested for RGPQFN 5X6 mml L
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History: HM4450A | VQ1000P | TK62J60W5 | SSW60R040S2E | IRF6709S2 | PSMN022-30BL | ZXMP6A18DN8
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Liste
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