IRFH8330 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFH8330
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.35 V
   Carga de la puerta (Qg): 9.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFH8330

IRFH8330 Datasheet (PDF)

..1. Size:227K international rectifier
irfh8330pbf.pdf

PD - 97652CIRFH8330PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVGS max V 20RDS(on) max 6.6(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)9.9Qg typ.9.3 nCPQFN 5X6 mmID 25 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance

..2. Size:312K infineon
irfh8330pbf.pdf

IRFH8330PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVGS max V 20RDS(on) max 6.6(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)9.9Qg typ.9.3 nCPQFN 5X6 mmID 25 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (

7.1. Size:236K international rectifier
irfh8334pbf-1.pdf

IRFH8334PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VVGS max V 20RDS(on) max 9.0(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)13.5Qg typ.7.1 nCPQFN 5X6 mmID 25 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for high frequency buck convertersFeatures BenefitsIndustry-standard pinout PQFN 5 x 6mm Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mou

7.2. Size:226K international rectifier
irfh8337pbf.pdf

PD - 97646CIRFH8337PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVGS max V 20RDS(on) max 12.8(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)19.9Qg typ.4.7 nCPQFN 5X6 mmID 16.2 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (

7.3. Size:298K international rectifier
irfh8334pbf.pdf

IRFH8334PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVGS max V 20RDS(on) max 9.0(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)13.5Qg typ.7.1 nCPQFN 5X6 mmID 25 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (

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