IRFP150M Todos los transistores

 

IRFP150M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP150M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AC
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFP150M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1141K  international rectifier
irfp150mpbf.pdf pdf_icon

IRFP150M

PD - 96291IRFP150MPbF Lead-Freewww.irf.com 103/01/10IRFP150MPbF2 www.irf.comIRFP150MPbFwww.irf.com 3IRFP150MPbF4 www.irf.comIRFP150MPbFwww.irf.com 5IRFP150MPbF6 www.irf.comIRFP150MPbFwww.irf.com 7IRFP150MPbFTO-247AC Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches))TO-247AC Part Marking InformationData and specifications subject

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
irfp150m.pdf pdf_icon

IRFP150M

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP150MIIRFP150MFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)36mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingFully Avalanche RatedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

 7.1. Size:135K  international rectifier
irfp150n.pdf pdf_icon

IRFP150M

PD- 91503CIRFP150NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 100V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.036W Fully Avalanche RatedGID = 42ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefi

 7.2. Size:167K  international rectifier
irfp150.pdf pdf_icon

IRFP150M

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRF631 | 2N6967JANTX | IRF840A | IRF452

 

 
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