IRFP4227 Todos los transistores

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IRFP4227 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP4227

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 330 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 65 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.025 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247AC

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IRFP4227 Datasheet (PDF)

1.1. irfp4227pbf.pdf Size:296K _upd-mosfet

IRFP4227
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PD - 97070A IRFP4227PbF PDP SWITCH Features Key Parameters l Advanced Process Technology VDS max 200 V l Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ. 240 V l Low EPULSE Rating to Reduce Power m RDS(ON) typ. @ 10V 21 Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery IRP max @ TC= 100°C 130 A and Pass Switch Applications

3.1. irfp4229pbf.pdf Size:301K _upd-mosfet

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PD - 97079B IRFP4229PbF PDP SWITCH Features Key Parameters l Advanced Process Technology VDS min 250 V l Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ. 300 V l Low EPULSE Rating to Reduce Power RDS(ON) typ. @ 10V m 38 Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery IRP max @ TC= 100°C 87 A and Pass Switch Applications

3.2. irfp4228pbf.pdf Size:300K _upd-mosfet

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PD - 97229A IRFP4228PbF PDP SWITCH Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for PDP VDS min 150 V Sustain, Energy Recovery and Pass VDS (Avalanche) typ. 180 V Switch Applications RDS(ON) typ. @ 10V m 12 l Low EPULSE Rating to Reduce Power IRP max @ TC= 100°C 170 A Dissipation in PDP Sustain, Energy TJ max 175 °C Recovery and Pass

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