BF994S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF994S

Código: M93_MG_MGp_MGs

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 17 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 50 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT143

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BF994S Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF994S N-channel dual-gate MOS-FET July 1993 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF994S FEATURES DESCRIPTION � Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back diodes

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF994S N-channel dual-gate MOS-FET Product specification July 1993 NXP Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF994S FEATURES DESCRIPTION ? Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back diodes between gates microminiature package with in

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Liste

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