IRFS3004-7P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFS3004-7P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 400 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2020 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00125 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFS3004-7P
IRFS3004-7P Datasheet (PDF)
irfs3004-7ppbf.pdf
PD - 97378A IRFS3004-7PPbF HEXFET Power MOSFET Applications D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 40V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 0.90m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.25m G ID (Silicon Limited) 400A Benefits ID (Package Limited) 240A S l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
auirfs3004-7p.pdf
AUIRFS3004-7P AUTOMOTIVE GRADE HEXFET Power MOSFET Features VDSS 40V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 0.90m Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature max. 1.25m Fast Switching ID (Silicon Limited) 400A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 240A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Q
irfb3004pbf irfs3004pbf irfsl3004pbf.pdf
PD - 97377 IRFB3004PbF IRFS3004PbF IRFSL3004PbF HEXFET Power MOSFET Applications D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 40V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 1.4m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.75m G ID (Silicon Limited) 340A c Benefits ID (Package Limited) 195A S l Improved Gate,
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Liste
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