IRFS3004-7P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS3004-7P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2020 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00125 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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IRFS3004-7P datasheet

 ..1. Size:487K  international rectifier
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IRFS3004-7P

PD - 97378A IRFS3004-7PPbF HEXFET Power MOSFET Applications D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 40V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 0.90m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.25m G ID (Silicon Limited) 400A Benefits ID (Package Limited) 240A S l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

 0.1. Size:453K  infineon
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IRFS3004-7P

AUIRFS3004-7P AUTOMOTIVE GRADE HEXFET Power MOSFET Features VDSS 40V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 0.90m Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature max. 1.25m Fast Switching ID (Silicon Limited) 400A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 240A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Q

 6.1. Size:457K  international rectifier
 irfb3004pbf irfs3004pbf irfsl3004pbf.pdf pdf_icon

IRFS3004-7P

PD - 97377 IRFB3004PbF IRFS3004PbF IRFSL3004PbF HEXFET Power MOSFET Applications D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 40V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 1.4m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.75m G ID (Silicon Limited) 340A c Benefits ID (Package Limited) 195A S l Improved Gate,

 6.2. Size:711K  infineon
 auirfs3004 auirfsl3004.pdf pdf_icon

IRFS3004-7P

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