IRFS38N20D Todos los transistores

 

IRFS38N20D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS38N20D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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IRFS38N20D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  international rectifier
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IRFS38N20D

PD - 97001CIRFB38N20DPbF IRFS38N20DPbF IRFSL38N20DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsKey Parametersl High frequency DC-DC convertersVDS200 Vl Plasma Display PanelVDS (Avalanche) min.260 VBenefitsRDS(ON) max @ 10V m54l Low Gate-to-Drain Charge toTJ max175 CReduce Switching Lossesl Fully Characterized CapacitanceIncluding Effective COSS to SimplifyDe

 ..2. Size:133K  international rectifier
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IRFS38N20D

PD - 94358IRFB38N20D IRFS38N20DSMPS MOSFET IRFSL38N20DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters200V 0.054 44ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand Current

 ..3. Size:583K  infineon
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IRFS38N20D

IRFB38N20DPbF IRFS38N20DPbF IRFSL38N20DPbF HEXFET Power MOSFET Key Parameters Applications High frequency DC-DC converters VDS 200 V Plasma Display Panel VDS(Avalanche) min. 260 VRDS(on) max @ 10V 54 mBenefits TJ max 175 C Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS D D D

 ..4. Size:258K  inchange semiconductor
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IRFS38N20D

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS38N20DFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

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History: ZXMP10A16K | IPW60R080P7 | TPC8014 | NDH8302P | NCE60NF420I | RUM001L02 | HYG065N15NS1B

 

 
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