BF996SR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF996SR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 17 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2.6 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 200 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT143R

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BF996SR Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF996S N-channel dual-gate MOS-FET April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF996S FEATURES DESCRIPTION � Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back diodes

4.2. bf996s 2.pdf Size:31K _philips

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF996S N-channel dual-gate MOS-FET Product specification April 1991 NXP Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF996S FEATURES DESCRIPTION ? Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back diodes between gates microminiature package with i

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Liste

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