BF996SR Todos los transistores

 

BF996SR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF996SR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 17 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT143R
 

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BF996SR datasheet

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BF996SR

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF996S N-channel dual-gate MOS-FET Product specification April 1991 NXP Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF996S FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back diodes between gates microminiature package w... See More ⇒

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF996S N-channel dual-gate MOS-FET April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF996S FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back d... See More ⇒

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF996S N-channel dual-gate MOS-FET April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF996S FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back d... See More ⇒

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