IRFSL38N20D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFSL38N20D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: TO262

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IRFSL38N20D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFSL38N20D datasheet

 ..1. Size:715K  international rectifier
 irfsl38n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFSL38N20D

PD - 97001A PROVISIONAL IRFB38N20DPbF IRFS38N20DPbF SMPS MOSFET IRFSL38N20DPbF HEXFET Power MOSFET Applications l High frequency DC-DC converters Key Parameters l Plasma Display Panel VDS 200 V l Lead-Free VDS (Avalanche) min. 260 V RDS(ON) max @ 10V m 54 Benefits TJ max 175 C l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Inc

 ..2. Size:583K  infineon
 irfb38n20dpbf irfs38n20dpbf irfsl38n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFSL38N20D

IRFB38N20DPbF IRFS38N20DPbF IRFSL38N20DPbF HEXFET Power MOSFET Key Parameters Applications High frequency DC-DC converters VDS 200 V Plasma Display Panel VDS(Avalanche) min. 260 V RDS(on) max @ 10V 54 m Benefits TJ max 175 C Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS D D D

 ..3. Size:256K  inchange semiconductor
 irfsl38n20d.pdf pdf_icon

IRFSL38N20D

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS38N20D FEATURES With To-262 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 2

 7.1. Size:564K  international rectifier
 irfb3806pbf irfs3806pbf irfsl3806pbf.pdf pdf_icon

IRFSL38N20D

PD - 97310 IRFB3806PbF IRFS3806PbF Applications IRFSL3806PbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 60V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 12.6m G max. 15.8m Benefits ID 43A S l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully C

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFSL3107, IRFSL31N20D, IRFSL3206, IRFSL3306, IRFSL33N15D, IRFSL3507, IRFSL3607, IRFSL3806, IRF640N, IRFSL4010, IRFSL4115, IRFSL4127, IRFSL41N15D, IRFSL4227, IRFSL4310, IRFSL4310Z, IRFSL4321