IRFU2405 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU2405 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Encapsulados: IPAK
Búsqueda de reemplazo de IRFU2405 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
IRFU2405 datasheet
irfr2405pbf irfu2405pbf.pdf
PD - 95369A IRFR2405PbF IRFU2405PbF l Surface Mount (IRFR2405) HEXFET Power MOSFET l Straight Lead (IRFU2405) l Advanced Process Technology D VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.016 G l Lead-Free Description ID = 56A Seventh Generation HEXFET Power MOSFETs from S International Rectifier utilize advanced processing
irfu2405.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU2405 FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN
irfr2407pbf irfu2407pbf.pdf
PD-95033A IRFR2407PbF IRFU2407PbF Lead-Free www.irf.com 1 12/10/04 IRFR/U2407PbF 2 www.irf.com IRFR/U2407PbF www.irf.com 3 IRFR/U2407PbF 4 www.irf.com IRFR/U2407PbF www.irf.com 5 IRFR/U2407PbF 6 www.irf.com IRFR/U2407PbF www.irf.com 7 IRFR/U2407PbF D-Pak (TO-252AA) Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) D-Pak (TO-252AA) Part Marking Informat
irfr2407 irfu2407.pdf
PD -93862 IRFR2407 IRFU2407 HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFR2407) Straight Lead (IRFU2407) D Advanced Process Technology VDSS = 75V Dynamic dv/dt Rating Fast Switching RDS(on) = 0.026 G Fully Avalanche Rated Description ID = 42A Seventh Generation HEXFET Power MOSFETs from S International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremel
Otros transistores... IRFU1018E, IRFU120Z, IRFU13N15D, IRFU13N20D, IRFU15N20D, IRFU18N15D, IRFU220N, IRFU2307Z, SKD502T, IRFU2407, IRFU24N15D, IRFU2607Z, IRFU2905Z, IRFU3410, IRFU3411, IRFU3504Z, IRFU3505
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644
