IRFU24N15D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU24N15D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de IRFU24N15D MOSFET
IRFU24N15D Datasheet (PDF)
irfr24n15dpbf irfu24n15dpbf.pdf

PD - 95370BIRFR24N15DPbF IRFU24N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 95m 24ABenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)D-Pak I-PakIRFR24N15DPbF IRFU24N15DPbFl Fully Characterized Avalanch
irfu24n15d.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU24N15DFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
irfr2407pbf irfu2407pbf.pdf

PD-95033AIRFR2407PbFIRFU2407PbF Lead-Freewww.irf.com 112/10/04IRFR/U2407PbF2 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 3IRFR/U2407PbF4 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 5IRFR/U2407PbF6 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 7IRFR/U2407PbFD-Pak (TO-252AA) Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D-Pak (TO-252AA) Part Marking Informat
irfr2405pbf irfu2405pbf.pdf

PD - 95369AIRFR2405PbFIRFU2405PbFl Surface Mount (IRFR2405)HEXFET Power MOSFETl Straight Lead (IRFU2405)l Advanced Process TechnologyDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.016Gl Lead-FreeDescriptionID = 56ASeventh Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processing
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History: PSMN012-100YS | TK40X10J1 | TSF50N06M | NP84N075MUE | SLF60R190S2 | PPMT12V4
History: PSMN012-100YS | TK40X10J1 | TSF50N06M | NP84N075MUE | SLF60R190S2 | PPMT12V4



Liste
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