IRL6342 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRL6342
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0146 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
IRL6342 Datasheet (PDF)
irl6342pbf.pdf

PD - 97617IRL6342PbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS12 VRDS(on) max 14.6 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 11 nCSO-8ID9.9 A(@TA = 25C)Applications Battery operated DC motor inverter MOSFET System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsIndustry-Standard SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityRoHS Compliant Containing no Lead, no
irl6372.pdf

PD - 97622IRL6372PbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS12 V RDS(on) max 17.9 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 11 nC SO-8ID8.1 A(@TA = 25C)Applications Battery operated DC motor inverter MOSFET System/Load Switch Charge and Discharge Switches for Battery ApplicationFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsIndustry-Standard SO-8 Package Mul
irl630s.pdf

PD - 9.1254IRL630SHEXFET Power MOSFETSurface MountAvailable in Tape & ReelVDSS = 200VDynamic dv/dt RatingRepetitive Avalanche RatedRDS(on) = 0.40Logic-Level Gate DriveRDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V150C Operating TemperatureID = 9.0ADescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designerwith the best combination of fast switc
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Liste
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